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    LSI創(chuàng)新HA-DAS加強(qiáng)英特爾存儲(chǔ)產(chǎn)品組合

    2012-09-13 11:00 3015
    英特爾公司采用LSI的高可用性直連存儲(chǔ)(HA-DAS)解決方案加強(qiáng)其存儲(chǔ)產(chǎn)品組合,使其RAID HA-DAS解決方案不僅具備傳統(tǒng)高可用性系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì),且更加便于管理,成本更低。LSI HA-DAS解決方案預(yù)計(jì)將于2012年第四季度全面發(fā)布。

    HA-DAS為DAS環(huán)境帶來(lái)共享存儲(chǔ)和應(yīng)用故障轉(zhuǎn)移功能,且成本和復(fù)雜性大大低于現(xiàn)有的高可用性解決方案

    北京2012年9月13日電 /美通社/ -- LSI公司(NYSE:LSI)日前宣布,英特爾公司已采用LSI的高可用性直連存儲(chǔ)(HA-DAS)解決方案加強(qiáng)其存儲(chǔ)產(chǎn)品組合。LSI® HA-DAS解決方案旨在為中小企業(yè)(SMB)、遠(yuǎn)程部門(mén)和分支辦事處機(jī)構(gòu)提供更高的應(yīng)用可用性和更為可靠的系統(tǒng)運(yùn)行,而且成本和復(fù)雜性要低于傳統(tǒng)的高可用性存儲(chǔ)解決方案。

    英特爾企業(yè)平臺(tái)和服務(wù)部市場(chǎng)總監(jiān)David Brown指出:“數(shù)據(jù)消耗量的快速增長(zhǎng),為高可用性服務(wù)器系統(tǒng)的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力,因此共享存儲(chǔ)和系統(tǒng)正常運(yùn)轉(zhuǎn)就顯得越發(fā)的重要。有了LSI技術(shù)的支持,英特爾RAID HA-DAS解決方案不僅具備傳統(tǒng)高可用性系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì),而且更加便于管理,成本更低?!?/p>

    設(shè)計(jì)高可用性系統(tǒng)的目的是在組件發(fā)生故障時(shí)確保應(yīng)用和數(shù)據(jù)的持續(xù)可用性。傳統(tǒng)高可用性(HA)解決方案能夠組建服務(wù)器集群并通過(guò)存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)(SAN)共享存儲(chǔ),從而確保持續(xù)的應(yīng)用可用性,避免單點(diǎn)故障。LSI首創(chuàng)的新型HA-DAS解決方案則具備更多優(yōu)勢(shì),可以有效降低HA解決方案的成本和復(fù)雜性,這些優(yōu)勢(shì)包括:

    • 完全冗余的共享節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)
    • 應(yīng)用故障轉(zhuǎn)移功能,確保系統(tǒng)的持續(xù)正常運(yùn)行和可用性
    • 簡(jiǎn)單且便于管理的存儲(chǔ),無(wú)需復(fù)雜的存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)硬件

    LSI公司RAID存儲(chǔ)部市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Kelly Bryant指出:“LSI 的HA-DAS解決方案是一種令人激動(dòng)的全新產(chǎn)品,它能讓系統(tǒng)架構(gòu)師和IT經(jīng)理在享有DAS低成本優(yōu)勢(shì)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)共享存儲(chǔ)應(yīng)用故障轉(zhuǎn)移功能。LSI很高興能夠與英特爾開(kāi)展合作。英特爾在向市場(chǎng)推廣新型解決方案方面一直發(fā)揮著領(lǐng)先作用?!?/p>

    LSI本周將在舊金山舉行的英特爾開(kāi)發(fā)者論壇上展現(xiàn)HA-DAS解決方案的優(yōu)勢(shì)并對(duì)其他幾種產(chǎn)品進(jìn)行展示,包括:

    • 故障轉(zhuǎn)移環(huán)境中的HA-DAS(714號(hào)展臺(tái))。
    • 用英特爾SSD實(shí)現(xiàn)12Gb/s SAS I/O性能(813號(hào)展臺(tái))。
    • LSI SandForce®閃存存儲(chǔ)處理器(FSP)在移動(dòng)計(jì)算技術(shù)中的應(yīng)用展示,包括采用LSI SandForce Driven? SSD的超極本,以及采用LSI SandForce FSP的Windows To Go兼容型USB 3.0閃存驅(qū)動(dòng)器(718號(hào)展臺(tái))。
    • LSI還將參加NVM Express展示會(huì),演示可支持最新NVM Express規(guī)范且基于PCIe閃存的LSI Nytro?應(yīng)用加速產(chǎn)品(438號(hào)展臺(tái))。

    如欲了解關(guān)于HA-DAS的更多信息,歡迎訪問(wèn)www.ha-das.com,您可以下載技術(shù)簡(jiǎn)介,并觀看培訓(xùn)視頻。這些視頻和資料將為您展示相關(guān)技術(shù)知識(shí),并介紹應(yīng)用該解決方案可以為IT專(zhuān)業(yè)人士帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。

    LSI HA-DAS解決方案預(yù)計(jì)將于2012年第四季度全面發(fā)布。歡迎訪問(wèn):www.lsi.com/HA-DAS了解更多。 

    關(guān)于LSI

    LSI公司(NYSE:LSI)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體組件和軟件可用于提高數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)和客戶(hù)端計(jì)算的存儲(chǔ)性能和網(wǎng)絡(luò)速度。我們的技術(shù)是高度智慧的結(jié)晶,是加強(qiáng)應(yīng)用性能的關(guān)鍵所在。同時(shí),我們積極與合作伙伴開(kāi)展協(xié)作,共同開(kāi)發(fā)解決方案以更好地將我們的技術(shù)應(yīng)用其中。如需了解更多詳情,請(qǐng)?jiān)L問(wèn):www.lsi.com。

    LSI與 LSI徽標(biāo)設(shè)計(jì)、“存儲(chǔ) 網(wǎng)絡(luò) 加速”品牌口號(hào)以及SandForce、SandForce Driven和Nytro均為L(zhǎng)SI公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

    所有其他品牌或產(chǎn)品名稱(chēng)可能是其各自所有者的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

    消息來(lái)源:LSI公司
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    全球TMT
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